Luận văn tốt nghiệp - Khảo sát sự hội tụ của phương pháp toán tử fk cho bài toán exciton 2d trong từ trường đều theo tham số tự do Trong những năm gần đây, các nhà vật lý quan tâm nhiều đến các cấu trúc thấp chiều do tính ứng dụng cao cũng như các hiệu ứng đặc biệt của nó [10, 20]. Trong các mô hình thấp chiều đó, loại tinh thể nhiều lớp bán dẫn GaAs/GaAlAs được sử dụng tương đối phổ biến. Trong tinh thể này, do đáy vùng dẫn 1 Al Ga As x −x (x 0.45) ≤ cao hơn so với đáy vùng dẫn của GaAs cho nên vùng chứa GaAs hoạt động như hố thế trong khi vùng chứa 1 Al Ga As x −x đóng vai trò là bức tường thế. Đặc biệt kỹ thuật nuôi cấy tinh thể tiên tiến như kĩ thuật cấy chùm phân tử (MBE: Molecular Beam Epitaxy) cho phép tạo ra các lớp bán dẫn GaAs rất mỏng (cỡ nm) thì bức tường thế có thể xem là cao vô hạn. Lúc này, các hạt tải của GaAs sẽ cùng bị nhốt trong lớp GaAs dọc theo bề rộng: electron bị giam nhốt trong vùng dẫn trong khi các lỗ trống bị nhốt trong vùng hóa trị đầy và ta có một hệ khí điện tử chuyển động tự do trong không gian hai chiều trên bề mặt lớp bán dẫn GaAs. Do là khí điện tử tự do cho nên về nguyên tắc phổ năng lượng đo được là phổ liên tục. Tuy nhiên, thực nghiệm quan sát được phổ năng lượng gián đoạn của khí điện tử và đặc biệt phổ hấp thụ của bán dẫn xuất hiện những đỉnh hấp thụ lạ. Điều này chỉ có thể giải thích bởi sự tồn tại của trạng thái liên kết giữa điện tử và lỗ trống tạo thành giả hạt exciton [8]. ✪ ✪ ✪ ✪ ✪ Link tải tài liệu: LINK TẢI TÀI LIỆU Theo LTTK Education
